El avance de UltraRAM finalmente podría fusionar RAM y almacenamiento en un solo paquete

Porque es importante: Durante mucho tiempo, la memoria y el almacenamiento funcionaron como partes separadas de un dispositivo informático. Los fabricantes han tratado de combinar los beneficios de RAM y NAND en un solo paquete, pero con poco éxito. Un nuevo tipo de memoria no volátil llamada UltraRAM está mostrando potencial, pero pasará algún tiempo antes de que pueda incorporarse a un producto comercial.

La fusión de la memoria de acceso aleatorio (RAM) y el almacenamiento no es una idea nueva, pero hasta ahora ninguna empresa ha logrado traducir este concepto en un producto comercial exitoso y ampliamente utilizado. Sin embargo, eso no significa que la investigación sobre este tema se haya enfriado.

A principios de este mes, investigadores del Departamento de Física e Ingeniería de la Universidad de Lancaster en el Reino Unido publicaron un documento que detalla el progreso significativo que se ha logrado para acercar UltraRAM a la producción en masa.

UltraRAM se describe como una tecnología de memoria que «combina la no volatilidad de la memoria de almacenamiento de datos, como flash, con la velocidad, la eficiencia energética y la durabilidad de la memoria de trabajo, como DRAM». Si esto le suena familiar, es porque Intel ya ha intentado cerrar la brecha entre DRAM y almacenamiento flash con Optane, pero con poco éxito. Samsung tiene algo llamado Z-NAND, y Kioxia y Western Digital también quieren integrar XL-FLASH en futuras soluciones de almacenamiento para consumidores y empresas.

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Los materiales utilizados para fabricar UltraRAM son los mismos semiconductores compuestos que se utilizan en dispositivos optoelectrónicos como LED, láseres, fotodiodos y fototransistores. El último avance realizado por los científicos detrás de este proyecto fue mejorar su rendimiento cuando se construye sobre sustratos de silicio en comparación con las obleas de arseniuro de galio, que pueden ser hasta 1000 veces más caras.

Esto significa que UltraRAM tiene el potencial de ser una solución de memoria asequible. Los científicos dicen que los dispositivos prototipo que probaron pueden ofrecer 1000 años de retención de datos y «resiliencia sin degradación» de más de 10 millones de ciclos de programa/borrado. El último número por sí solo probablemente sea suficiente para despertar el interés de las empresas de tecnología, especialmente si puede ser tan rápido como la memoria RAM tradicional.

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Otra ventaja de esta nueva tecnología es que aprovecha el efecto de la mecánica cuántica del túnel resonante para permitir que una barrera pase de opaca a transparente cuando se aplica un voltaje. Este proceso es muy eficiente desde el punto de vista energético en comparación con las tecnologías de conmutación utilizadas en la memoria RAM y el almacenamiento flash, por lo que podría dar lugar a mejores dispositivos móviles que duren más cuando se utilizan con batería.

El mismo proceso permite una arquitectura muy compacta con una alta densidad de bits, lo que en teoría debería permitir a los fabricantes incluir múltiples capacidades de memoria en un solo chip. Los investigadores de la Universidad de Lancaster dijeron que aún necesitan mejorar el proceso de creación de celdas de memoria, pero sigue siendo una tecnología interesante con un gran potencial para la computación en memoria, ya que eliminaría la necesidad de mover datos de un lado a otro entre el procesador de un dispositivo. memoria y almacenamiento no volátil.

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